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半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀

更新時(shí)間:2024-05-09

產(chǎn)品型號(hào):HHY8-BD-86A

廠家性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商

訪問(wèn)次數(shù):564

簡(jiǎn)要描述:

半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀是用于測(cè)量半導(dǎo)體材料電阻率、方塊電阻(薄層電阻)以及金屬薄層電阻的儀器。它基于四探針測(cè)試原理,適用于片狀、棒狀等半導(dǎo)體材料的測(cè)量。

半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀/電阻率測(cè)試儀/半導(dǎo)體電阻率測(cè)定儀(含探頭和測(cè)試架) 型號(hào):HHY8-BD-86A

HHY8-BD-86A型半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀是我廠推出的的普及型半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀器,本儀器是根據(jù)四探針原理,適合半導(dǎo)體器材廠,材料廠用于測(cè)量半導(dǎo)體材料(片狀、棒狀)的體電阻率,方塊電阻(簿層電阻),也可以用作測(cè)量金屬薄層電阻,經(jīng)過(guò)對(duì)用戶、半導(dǎo)體廠測(cè)試的調(diào)查,根據(jù)美國(guó)ASTM標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,在電路和探頭方面作了重大的修改和技術(shù)上的許多突破,它更適合于半導(dǎo)體器材廠工藝檢測(cè)方面對(duì)中值、高阻硅、鍺材料方塊電阻和體電阻率的測(cè)量需要,成為普及型的電阻率測(cè)試儀,具有測(cè)量精度高,穩(wěn)定性好,輸入阻抗高,使用方便、價(jià)格低廉等特點(diǎn)。

   儀器主要技術(shù)指標(biāo):

1.  測(cè)量范圍:電阻率10-3—103Ω-cm,分辯率為 10-4Ω-cm ,可擴(kuò)展到105Ω-cm

  方塊電阻10-2—104Ω/□,分辯率為10-3Ω/□,可擴(kuò)展到106Ω/□

薄層金屬電阻10-4—105Ω,分辯率為10-4Ω

2.可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸:直徑Φ15—Φ125mm;  長(zhǎng)度:150mm(可擴(kuò)展500mm)

     3.測(cè)量方式:軸向、斷面均可

4.?dāng)?shù)字電壓表:(1)量程:20mV(分辯率:10μV)、200mV、2V

             (2)測(cè)量誤差:±0.3%讀數(shù)±1字

             (3)輸入阻抗:大于108Ω

             (4)顯示3 1/2 位紅色發(fā)光二極管(LED)數(shù)字顯示

                  0---1999具有極性、過(guò)載、小數(shù)點(diǎn)、單位自動(dòng)顯示

5.恒流源:由交流供電,具有良好的防泄漏隔離功能

(1)       直流電流:0—100mA連續(xù)可調(diào)

(2)       量程:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA

(3)       分辯率:10nA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA

(4)       電流誤差:±0.3%讀數(shù)±2字

6.電性能模擬考核誤差:<±0.3%符合ASTM指標(biāo)

7.測(cè)試探頭:(1)探針機(jī)械游移率:± 0.3% 符合ASTM 指標(biāo)

8.電源:交流220V±10%   50HZ或60HZ  功率消耗< 30W

9.電氣箱外形尺寸:119×440×320mm

 

 

 

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